- Todo
- Nombre del producto
- Palabras clave
- Modelo de producto
- Resumen del producto
- Descripción del producto
- Búsqueda de texto completo
Especificación general：
(1) Formato de visualización: 128 ´matriz de 64 puntos;1/64 deber.
(2) Construcción: STN LCD, DIENTE Tipo
(3) Controlador: S6B0724
(4) Entrada de alimentación única de 3,0 V.Convertidor interno CC/CC integrado para control de LCD.
(5) Ancho tipo de temperatura.
Parámetro | Valor del stand | Unidad |
Tamaño de punto | 0,45 (ancho) ´ 0,49(alto) | milímetros |
Paso de punto | 0,475(W) ´ 0,515(H) | milímetros |
Área de visualización | 65,5 (ancho) ´ 38,0(H) | milímetros |
Tamaño del módulo | 90,5 (ancho) ´63,2(H) ´ 10,0 máx. (T) | milímetros |
Parámetro | Símbolo | mín. | máx. | Unidad | |
Lógica Voltaje de suministro del circuito | VDD-VSS | 3.0 | 3.3 | V | |
LCD Voltaje de conducción | VDD-VO | 8.2 | 8.6 | V | |
Aporte Voltaje | VI | VSS | VDD | V | |
Temperatura normal.tipo | Operando Temperatura. | TOP | -10 | 60 | °C |
Almacenamiento Temperatura. | TSTG | -20 | 70 | °C | |
Parámetro | Símbolo | Condition | mín. | tipo | máx. | Unidad | Nota |
----- Características electrónicas ----- | |||||||
Lógica Circuito Voltaje de suministro | VDD-VSS | -- | 3.0 | --- | 3.3 | V |
|
LCD Voltaje de conducción | VDD-VO | 25 °C | -- | 8.6 | -- | V |
|
Aporte Voltaje | vih | -- | 0.7 VDD | -- | VDD | V |
|
VIL | -- | VSS | -- | 0.3 VDD | V |
| |
Corriente de suministro lógica | IDD | VDD = 3,0 V | -- | 40 | -- | ua |
|
----- Características ópticas ----- | |||||||
Contraste | CR | tipo STN |
| 8.6 |
|
|
|
Hora de levantarse | tr | 25°C | -- | 140 | -- | EM | Nota 2 |
Otoño | tf | 25°C | -- | 240 | -- | EM | |
Rango de ángulo de visión | q f | 25°C & CR³2 | -- | 40 | -- |
Grado. | Nota 3 |
q b | -- | 35 | -- | ||||
q l | -- | 35 | -- | ||||
q r | -- | 35 | -- | ||||
Frecuencia de cuadros | fF | 25°C | -- | 70 | -- | Hz |
|
----- Luz de fondo LED(Verde) Características ----- | |||||||
Adelante Voltaje | VF | -- | -- | 3.0 | -- | V | Tensión de alimentación entre A y K |
Corriente directa | SI | FV=3,0 V | -- | 15 | -- | mamá |
|
LED desnudo Intensidad luminosa | FV=3,0 V | -- | -- | -- | cd/m22 |
| |
LCM Intensidad luminosa | FV=3,0 V | -- |
| -- | cd/m22 |
| |
*************************************************************************
Tecnología TFT-LCD, proceso detallado
Principio de funcionamiento de la pantalla de cristal líquido TFT-LCD
El proceso de fabricación de una pantalla de cristal líquido con transistor de película delgada consta de las siguientes partes: se forma una matriz TFT sobre el sustrato TFT;formar un patrón de filtro de color y una capa conductora de ITO sobre el sustrato del filtro de color;con dos sustratos para formar una instalación de caja de cristal líquido;Circuito periférico, conjunto de módulo de retroiluminación.
1. proceso para formar una matriz TFT sobre sustrato TFT
TFT ha realizado la industrialización de los tipos que incluyen: TFT de silicio amorfo (a-Si TFT), TFT de silicio policristalino (TFT p-Si), TFT de silicio monocristalino (c-Si) varios.Actualmente el más utilizado es el TFT a-Si.
El proceso de fabricación de a-Si TFT consiste en pulverizar primero la película del material de la puerta sobre el sustrato de vidrio de borosilicato y luego formar el patrón de rejilla después de la exposición de la máscara, el revelado y el grabado en seco.Máquina de exposición escalonada para exposición general de mascarillas.El segundo paso es utilizar el método PECVD para la formación de películas continuas, películas de SiNx, películas de a-Si no dopadas y películas de n+a-Si dopadas con fósforo.Luego, el patrón a-Si de la pieza TFT se forma mediante exposición a la máscara y grabado en seco.El tercer paso es formar un electrodo transparente (película ITO) mediante pulverización catódica y luego mostrar el patrón del electrodo mediante exposición a la máscara y grabado húmedo.El patrón de orificios de contacto de la película aislante del extremo de la puerta del cuarto paso se forma mediante exposición a la máscara y método de grabado en seco.El quinto paso es pulverizar AL en la película, con exposición de máscara, grabando la fuente, el drenaje y el patrón de línea de señal de TFT.Finalmente, la película protectora se forma mediante el método PECVD y luego la película se graba mediante exposición con máscara y grabado en seco.La película protectora se utiliza para proteger el electrodo y el electrodo y el electrodo de visualización.Hasta ahora, todo el proceso está completo.
La tecnología de matriz TFT es la clave del proceso de fabricación de TFT-LCD y la mayor parte de la inversión en equipos.Todo el proceso requiere un alto nivel de purificación (por ejemplo, nivel 10).
Especificación general：
(1) Formato de visualización: 128 ´matriz de 64 puntos;1/64 deber.
(2) Construcción: STN LCD, DIENTE Tipo
(3) Controlador: S6B0724
(4) Entrada de alimentación única de 3,0 V.Convertidor interno CC/CC integrado para control de LCD.
(5) Ancho tipo de temperatura.
Parámetro | Valor del stand | Unidad |
Tamaño de punto | 0,45 (ancho) ´ 0,49(alto) | milímetros |
Paso de punto | 0,475(W) ´ 0,515(H) | milímetros |
Área de visualización | 65,5 (ancho) ´ 38,0(H) | milímetros |
Tamaño del módulo | 90,5 (ancho) ´63,2(H) ´ 10,0 máx. (T) | milímetros |
Parámetro | Símbolo | mín. | máx. | Unidad | |
Lógica Voltaje de suministro del circuito | VDD-VSS | 3.0 | 3.3 | V | |
LCD Voltaje de conducción | VDD-VO | 8.2 | 8.6 | V | |
Aporte Voltaje | VI | VSS | VDD | V | |
Temperatura normal.tipo | Operando Temperatura. | TOP | -10 | 60 | °C |
Almacenamiento Temperatura. | TSTG | -20 | 70 | °C | |
Parámetro | Símbolo | Condition | mín. | tipo | máx. | Unidad | Nota |
----- Características electrónicas ----- | |||||||
Lógica Circuito Voltaje de suministro | VDD-VSS | -- | 3.0 | --- | 3.3 | V |
|
LCD Voltaje de conducción | VDD-VO | 25 °C | -- | 8.6 | -- | V |
|
Aporte Voltaje | vih | -- | 0.7 VDD | -- | VDD | V |
|
VIL | -- | VSS | -- | 0.3 VDD | V |
| |
Corriente de suministro lógica | IDD | VDD = 3,0 V | -- | 40 | -- | ua |
|
----- Características ópticas ----- | |||||||
Contraste | CR | tipo STN |
| 8.6 |
|
|
|
Hora de levantarse | tr | 25°C | -- | 140 | -- | EM | Nota 2 |
Otoño | tf | 25°C | -- | 240 | -- | EM | |
Rango de ángulo de visión | q f | 25°C & CR³2 | -- | 40 | -- |
Grado. | Nota 3 |
q b | -- | 35 | -- | ||||
q l | -- | 35 | -- | ||||
q r | -- | 35 | -- | ||||
Frecuencia de cuadros | fF | 25°C | -- | 70 | -- | Hz |
|
----- Luz de fondo LED(Verde) Características ----- | |||||||
Adelante Voltaje | VF | -- | -- | 3.0 | -- | V | Tensión de alimentación entre A y K |
Corriente directa | SI | FV=3,0 V | -- | 15 | -- | mamá |
|
LED desnudo Intensidad luminosa | FV=3,0 V | -- | -- | -- | cd/m22 |
| |
LCM Intensidad luminosa | FV=3,0 V | -- |
| -- | cd/m22 |
| |
*************************************************************************
Tecnología TFT-LCD, proceso detallado
Principio de funcionamiento de la pantalla de cristal líquido TFT-LCD
El proceso de fabricación de una pantalla de cristal líquido con transistor de película delgada consta de las siguientes partes: se forma una matriz TFT sobre el sustrato TFT;formar un patrón de filtro de color y una capa conductora de ITO sobre el sustrato del filtro de color;con dos sustratos para formar una instalación de caja de cristal líquido;Circuito periférico, conjunto de módulo de retroiluminación.
1. proceso para formar una matriz TFT sobre sustrato TFT
TFT ha realizado la industrialización de los tipos que incluyen: TFT de silicio amorfo (a-Si TFT), TFT de silicio policristalino (TFT p-Si), TFT de silicio monocristalino (c-Si) varios.Actualmente el más utilizado es el TFT a-Si.
El proceso de fabricación de a-Si TFT consiste en pulverizar primero la película del material de la puerta sobre el sustrato de vidrio de borosilicato y luego formar el patrón de rejilla después de la exposición de la máscara, el revelado y el grabado en seco.Máquina de exposición escalonada para exposición general de mascarillas.El segundo paso es utilizar el método PECVD para la formación de películas continuas, películas de SiNx, películas de a-Si no dopadas y películas de n+a-Si dopadas con fósforo.Luego, el patrón a-Si de la pieza TFT se forma mediante exposición a la máscara y grabado en seco.El tercer paso es formar un electrodo transparente (película ITO) mediante pulverización catódica y luego mostrar el patrón del electrodo mediante exposición a la máscara y grabado húmedo.El patrón de orificios de contacto de la película aislante del extremo de la puerta del cuarto paso se forma mediante exposición a la máscara y método de grabado en seco.El quinto paso es pulverizar AL en la película, con exposición de máscara, grabando la fuente, el drenaje y el patrón de línea de señal de TFT.Finalmente, la película protectora se forma mediante el método PECVD y luego la película se graba mediante exposición con máscara y grabado en seco.La película protectora se utiliza para proteger el electrodo y el electrodo y el electrodo de visualización.Hasta ahora, todo el proceso está completo.
La tecnología de matriz TFT es la clave del proceso de fabricación de TFT-LCD y la mayor parte de la inversión en equipos.Todo el proceso requiere un alto nivel de purificación (por ejemplo, nivel 10).
